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RSH125N03TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4900
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简述:MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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RSH125N03TB1参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1670pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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