收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RRS110N03TB1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RRS110N03TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RRS110N03TB1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RRS125N03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RRS130N03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RRTMEP Hammond Manufacturing 0+38 WIRE END PLATES FOR TOP MANAGERS ...
RRS100P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RRS100N03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RRS090P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

RRS110N03TB1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别