收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RRH100P03TB1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RRH100P03TB1

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RRH100P03TB1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RRH140P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RRHDDOL Hammond Manufacturing DOLLY HEAVY DUTY 19" RELAY RACK ...
RR-IDC-12VDC-I Texas Instruments 2 RFID TRANSF INTERNTL 12V 580MA ...
RRH075P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RRH050P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 5000 MOSFET P-CH 30V 5A SOP8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RRH040P03TB1 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET P-CH 30V 4A SOP8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

RRH100P03TB1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3600pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别