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RP1H065SPTR

Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线
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简述:MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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RP1H065SPTR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):45V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3200pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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