收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > RN1112MFV(TPL3)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RN1112MFV(TPL3)

Toshiba SOT-723
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RN1112MFV(TPL3)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RN1113FS(TPL3) Toshiba 3-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA 电...
RN1113MFV(TPL3) Toshiba SOT-723 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1114MFV(TPL3) Toshiba SOT-723 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1112FS(TPL3) Toshiba 3-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA 电...
RN1111MFV(TPL3) Toshiba SOT-723 TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-723 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA ...
RN1111FS(TPL3) Toshiba 3-SMD,扁平引线 TRANSISTOR NPN 20V 0.05A FSM 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA 电...

RN1112MFV(TPL3)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:-
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别