收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RMW150N03TB
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RMW150N03TB

Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSF N CH 30V 15A PSOP8
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与RMW150N03TB相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RMW180N03TB Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 MOSF N CH 30V 18A PSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RMW200N03TB Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 2500 MOSF N CH 30V 20A PSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RMW280N03TB Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 4970 MOSF N CH 30V 28A PSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RMW130N03TB Rohm Semiconductor 8-SMD,扁平引线 4959 MOSF N CH 30V 13A PSOP8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RM-TP Hirose Electric Co Ltd 2 TOOL EXTRACTION FOR RM SERIES ...
RM-TC-12 Hirose Electric Co Ltd TOOL MANUAL CRIMPING 24-28AWG ...

RMW150N03TB参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):831pF @ 15V
功率 - 最大值:3W
安装类型:*

最近更新

型号类别