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RMCF2010JT1K10

Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) 8000
询价QQ:
简述:RES 1.1K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RMCF2010JT1K10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RMCF2010JT1K20 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) 3913 RES 1.2K OHM 3/4W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):1.2k 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:...
RMCF2010JT1K30 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) RES 1.3K OHM 3/4W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):1.3k 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:...
RMCF2010JT1K60 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) RES TF 3/4W 1.6K OHM 5% 2010 电阻(欧姆):1.6k 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:...
RMCF2010JT1K00 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) 20000 RES 1K OHM 3/4W 5% 2010 SMD 电阻(欧姆):1k 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:- ...
RMCF2010JT18R0 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) RES TF 3/4W 18 OHM 5% 2010 电阻(欧姆):18 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:- ...
RMCF2010JT18K0 Stackpole Electronics Inc 2010(5025 公制) RES TF 3/4W 18K OHM 5% 2010 电阻(欧姆):18k 功率(瓦特):0.75W,3/4W 复合体:厚膜 特点:-...

RMCF2010JT1K10参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):1.1k
功率(瓦特):0.75W,3/4W
复合体:厚膜
特点:-
温度系数:±200ppm/°C
容差:±5%

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