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首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > RL1220T-R39-G
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RL1220T-R39-G

Susumu 0805(2013 公制) 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:RES .39 OHM 1/3W 2% 0805
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RL1220T-R39-G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RL1220T-R47-G Susumu 0805(2013 公制) RES .47 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.47 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...
RL1220T-R56-G Susumu 0805(2013 公制) RES .56 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.56 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...
RL1220T-R68-G Susumu 0805(2013 公制) RES .68 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.68 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...
RL1220T-R33-G Susumu 0805(2013 公制) RES .33 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.33 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...
RL1220T-R27-G Susumu 0805(2013 公制) RES .27 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.27 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...
RL1220T-R22-G Susumu 0805(2013 公制) RES .22 OHM 1/3W 2% 0805 电阻(欧姆):0.22 功率(瓦特):0.333W,1/3W 复合体:薄膜 特点...

RL1220T-R39-G参数资料

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电阻(欧姆):0.39
功率(瓦特):0.333W,1/3W
复合体:薄膜
特点:电流检测
温度系数:0/ +350ppm/°C
容差:±2%

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