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首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > RGH2012-2E-P-104-B
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RGH2012-2E-P-104-B

Susumu 0805(2012 公制) 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€n偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923
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简述:RES 100K OHM .1% 1/4W 0805 SMD
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RGH2012-2E-P-104-B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RGH2012-2E-P-111-B Susumu 0805(2012 公制) 41607 RES 110 OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):110 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...
RGH2012-2E-P-112-B Susumu 0805(2012 公制) RES 1.1K OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):1.1k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:...
RGH2012-2E-P-113-B Susumu 0805(2012 公制) 13209 RES 11K OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...
RGH2012-2E-P-103-B Susumu 0805(2012 公制) RES 10K OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...
RGH2012-2E-P-102-B Susumu 0805(2012 公制) RES 1.0K OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):1k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:- ...
RGH2012-2E-P-101-B Susumu 0805(2012 公制) RES 100 OHM .1% 1/4W 0805 SMD 电阻(欧姆):100 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...

RGH2012-2E-P-104-B参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

电阻(欧姆):100k
功率(瓦特):0.25W,1/4W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±25ppm/°C
容差:±0.1%

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