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RG3216N-1102-W-T1

Susumu 1206(3216 公制)
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简述:RES 11.0K OHM 1/4W .05% 1206
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG3216N-1102-W-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG3216N-1103-B-T1 Susumu 1206(3216 公制) RES 110K OHM 1/4W .1% 1206 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:...
RG3216N-1103-B-T5 Susumu 1206(3216 公制) RES 110K OHM 1/4W .1% 1206 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:...
RG3216N-1103-C-T5 Susumu 1206(3216 公制) RES 110K OHM 1/4W .25% 1206 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:...
RG3216N-1102-P-T1 Susumu 1206(3216 公制) RES 11.0K OHM 1/4W .02% 1206 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...
RG3216N-1102-D-T5 Susumu 1206(3216 公制) RES 11.0K OHM 1/4W .5% 1206 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...
RG3216N-1102-C-T5 Susumu 1206(3216 公制) RES 11.0K OHM 1/4W .25% 1206 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.25W,1/4W 复合体:薄膜 特点:-...

RG3216N-1102-W-T1参数资料

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电阻(欧姆):11k
功率(瓦特):0.25W,1/4W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±10ppm/°C
容差:±0.05%

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