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RG2012P-9762-B-T1

Susumu 0805(2012 公制)
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简述:RES 97.6K OHM 1/8W .1% 0805
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG2012P-9762-B-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG2012P-9762-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 97.6K OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):97.6k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012P-9762-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 97.6K OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):97.6k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012P-9762-D-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 97.6K OHM 1/8W .5% 0805 电阻(欧姆):97.6k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012P-9761-W-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 9.76K OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):9.76k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012P-9761-W-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 9.76K OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):9.76k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012P-9761-P-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 9.76K OHM 1/8W .02% 0805 电阻(欧姆):9.76k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...

RG2012P-9762-B-T1参数资料

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电阻(欧姆):97.6k
功率(瓦特):0.125W,1/8W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±25ppm/°C
容差:±0.1%

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