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RG2012P-113-B-T1

Susumu 0805(2012 公制)
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简述:RES 11.0K OHM 1/8W .1% 0805
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG2012P-113-B-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG2012P-113-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) 10000 RES 11.0K OHM 1/8W .1% 0805 SMD 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012P-113-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012P-113-D-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .5% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012P-1133-W-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 113K OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):113k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012P-1133-W-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 113K OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):113k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012P-1133-D-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 113K OHM 1/8W .5% 0805 电阻(欧姆):113k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...

RG2012P-113-B-T1参数资料

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电阻(欧姆):11k
功率(瓦特):0.125W,1/8W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±25ppm/°C
容差:±0.1%

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