收藏本站

首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > RG2012N-9312-W-T5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RG2012N-9312-W-T5

Susumu 0805(2012 公制)
询价QQ:
简述:RES 93.1K OHM 1/8W .05% 0805
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG2012N-9312-W-T5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG2012N-93R1-B-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1 OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):93.1 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012N-93R1-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1 OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):93.1 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012N-93R1-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1 OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):93.1 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012N-9312-W-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1K OHM 1/8W .05% 0805SMD 电阻(欧姆):93.1k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012N-9312-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1K OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):93.1k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...
RG2012N-9312-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 93.1K OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):93.1k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特...

RG2012N-9312-W-T5参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

电阻(欧姆):93.1k
功率(瓦特):0.125W,1/8W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±10ppm/°C
容差:±0.05%

最近更新

型号类别