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首页 > 电阻器 > 芯片电阻 - 表面安装 > RG2012N-6190-D-T5
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RG2012N-6190-D-T5

Susumu 0805(2012 公制) 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:RES 619 OHM 1/8W .5% 0805
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG2012N-6190-D-T5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG2012N-6190-P-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .02% 0805 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-6190-W-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .05% 0805 SMD 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-6190-W-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-6190-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-6190-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-6190-B-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 619 OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):619 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...

RG2012N-6190-D-T5参数资料

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电阻(欧姆):619
功率(瓦特):0.125W,1/8W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±10ppm/°C
容差:±0.5%

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