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RG2012N-113-W-T1

Susumu 0805(2012 公制) 2000
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简述:RES 11.0K OHM 1/8W .05% 0805SMD
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与RG2012N-113-W-T1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RG2012N-113-W-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .05% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-114-B-T1 Susumu 0805(2012 公制) RES 110K OHM 1/8W .1% 0805 SMD 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012N-114-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 110K OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):110k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点...
RG2012N-113-D-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .5% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-113-C-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .25% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...
RG2012N-113-B-T5 Susumu 0805(2012 公制) RES 11.0K OHM 1/8W .1% 0805 电阻(欧姆):11k 功率(瓦特):0.125W,1/8W 复合体:薄膜 特点:...

RG2012N-113-W-T1参数资料

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电阻(欧姆):11k
功率(瓦特):0.125W,1/8W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±10ppm/°C
容差:±0.05%

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