收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > RFD12N06RLE
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

RFD12N06RLE

Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与RFD12N06RLE相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
RFD12N06RLESM9A Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000+30000 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RFD14N05 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RFD14N05L Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 10605+1800 MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RFCS04029000DBTTS Vishay Electro-Films 0402(1005 公制) CAP THIN FILM 0.9PF 50V 0402 电容:0.90pF 电压 - 额定:50V 容差:±0.1pF 安...
RFCS04029000DBTT1 Vishay Electro-Films 0402(1005 公制) 1000 CAP THIN FILM 0.9PF 50V 0402 电容:0.90pF 电压 - 额定:50V 容差:±0.1pF 安...
RFCS04028200CJTTS Vishay Electro-Films 0402(1005 公制) CAP THIN FILM 8.2PF 25V 0402 电容:8.2pF 电压 - 额定:25V 容差:±5% 安装类型:...

RFD12N06RLE参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):63 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):485pF @ 25V
功率 - 最大值:49W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别