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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 > PUMB18,115
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PUMB18,115

NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PUMB18,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PUMB19,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PREBIASED PNP SOT666 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB2,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 54000 TRANS PNP/PNP 50V 20MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB20,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB17,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB16,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...
PUMB15,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):...

PUMB18,115参数资料

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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 10mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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