收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > RF FET > PTFA041501HLV1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PTFA041501HLV1

Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰
询价QQ:
简述:IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2
参考包装数量:50
参考包装形式:托盘

与PTFA041501HLV1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PTFA041501HLV1R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:470MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28...
PTFA043002EV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 晶体管类型:LDMOS 频率:800MHz 增益:16dB 电压 - 测试:32...
PTFA070601EV4 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 FET RF LDMOS 60W H36265-2 晶体管类型:LDMOS 频率:760MHz 增益:19.5dB 电压 - 测试:...
PTFA041501GLV1R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:470MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28...
PTFA041501GLV1 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线 IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:470MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28...
PTFA041501FV4R250 Infineon Technologies 2-扁平封装,叶片引线,带法兰 FET RF LDMOS 150W H37248-2 晶体管类型:LDMOS 频率:470MHz 增益:21dB 电压 - 测试:28...

PTFA041501HLV1参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:LDMOS
频率:470MHz
增益:21dB
电压 - 测试:28V
额定电流:1µA
噪音数据:-
电流 - 测试:900mA
功率 - 输出:150W
电压 - 额定:65V

最近更新

型号类别