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PSMN8R0-40PS,127

NXP Semiconductors TO-220-3 371
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简述:MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与PSMN8R0-40PS,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN8R2-80YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN8R3-40YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3866 MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN8R5-60YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN8R0-40BS,118 NXP Semiconductors 4800 MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK ...
PSMN8R0-30YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN8R0-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN8R0-40PS,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):77A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1262pF @ 12V
功率 - 最大值:86W
安装类型:通孔

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