收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN5R0-30YL,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN5R0-30YL,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 4500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PSMN5R0-30YL,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN5R0-80BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 80V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN5R0-80PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 453 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN5R5-60YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3000 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN5R0-100XS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 隔离片 300 MOSFET N-CH 100V TO-220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN5R0-100PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 359 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN5R0-100ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 458 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

PSMN5R0-30YL,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):91A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1760pF @ 12V
功率 - 最大值:61W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别