收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN4R3-80PS,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN4R3-80PS,127

NXP Semiconductors TO-220-3 443
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与PSMN4R3-80PS,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN4R4-30MLC,115 NXP Semiconductors SOT1210,8-LFPAK33(5 引线) MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN4R4-80BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN4R4-80PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN4R3-80ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 500 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN4R3-30PL,127 NXP Semiconductors TO-220-3 720 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN4R3-30BL,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 30V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN4R3-80PS,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):111nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8161pF @ 40V
功率 - 最大值:306W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别