收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN3R8-30LL,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN3R8-30LL,115

NXP Semiconductors 8-VDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V QFN3333
参考包装数量:1400
参考包装形式:带卷 (TR)

与PSMN3R8-30LL,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN3R9-25MLC,115 NXP Semiconductors SOT1210,8-LFPAK33(5 引线) 1500 MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN4R0-25YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1373 MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN4R0-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R8-100BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4273 MOSFET N CH 100V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R7-30YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R7-25YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1463 MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN3R8-30LL,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2085pF @ 15V
功率 - 最大值:69W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别