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PSMN3R5-80ES,127

NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 490
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简述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PSMN3R5-80ES,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):139nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9800pF @ 30V
功率 - 最大值:338W
安装类型:通孔

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