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PSMN3R0-60BS,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4842
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简述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
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与PSMN3R0-60BS,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN3R0-60ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 4931 MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R0-60PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 390 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R2-25YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN3R0-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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PSMN2R9-30MLC,115 NXP Semiconductors SOT1210,8-LFPAK33(5 引线) MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN3R0-60BS,118参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8079pF @ 30V
功率 - 最大值:306W
安装类型:表面贴装

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