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PSMN2R0-60ES,127

NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 5000
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简述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PSMN2R0-30YLE,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V LFPAK ...
PSMN2R0-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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PSMN2R0-60ES,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):137nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9997pF @ 30V
功率 - 最大值:338W
安装类型:通孔

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