收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN1R8-30PL,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN1R8-30PL,127

NXP Semiconductors TO-220-3 397
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与PSMN1R8-30PL,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN1R8-40YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N CH 40V 1.8 MOHM LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN1R9-25YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN2R0-30BL,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 30V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN1R8-30BL,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 30V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN1R7-60BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN1R7-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 4500 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN1R8-30PL,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10180pF @ 12V
功率 - 最大值:270W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别