| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PSMN1R6-40YLC:115 |
NXP Semiconductors | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 40V POWERSO8-4 参考包装数量：1500 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PSMN1R7-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669，4-LFPAK | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| PSMN1R7-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669，4-LFPAK | 4500 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| PSMN1R7-60BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N CH 60V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| PSMN1R6-40YLC,115 | NXP Semiconductors | SOT1023，4-LFPAK | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| PSMN1R6-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 1000 | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| PSMN1R6-30BL,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
