收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN1R5-30YL,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN1R5-30YL,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3170
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V LFPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:

与PSMN1R5-30YL,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN1R5-30YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN1R5-40ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 500 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN1R5-40PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4000 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN1R5-30BLEJ NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V D2PAK ...
PSMN1R5-25YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3000 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN1R3-30YL,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 6000 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN1R5-30YL,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):77.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5057pF @ 12V
功率 - 最大值:109W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别