收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN026-80YS,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN026-80YS,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PSMN026-80YS,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN027-100BS,118 NXP Semiconductors 300 MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK ...
PSMN027-100PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 939 MOSFET N-CH 100V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN027-100XS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 隔离片 978 MOSFET N CH 100V 23.4A TO220F FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN025-100D,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 7500 MOSFET N-CH 100V 47A SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN023-80LS,115 NXP Semiconductors 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH QFN3333 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN023-40YLCX NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N CH 40V 24A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN026-80YS,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):34A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):27.5 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 40V
功率 - 最大值:74W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别