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PSMN018-80YS,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3344
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简述:MOSFET N-CH LFPAK
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与PSMN018-80YS,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN020-100YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 5021 MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN020-150W,127 NXP Semiconductors TO-247-3 MOSFET N-CH 150V 73A SOT429 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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PSMN017-80PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4500 MOSFET N-CH 80V TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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PSMN017-60YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

PSMN018-80YS,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1640pF @ 40V
功率 - 最大值:89W
安装类型:表面贴装

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