收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN013-100XS,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN013-100XS,127

NXP Semiconductors TO-220-3 隔离片 268
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与PSMN013-100XS,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN013-30LL,115 NXP Semiconductors 8-VDFN 裸露焊盘 1281 MOSFET N-CH 30V QFN3333 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-30MLC,115 NXP Semiconductors SOT1210,8-LFPAK33(5 引线) MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-30YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 30V LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-100PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 626 MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-100ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 5000 MOSFET N-CH 100V I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-100BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 300 MOSFET N CH 100V 68A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN013-100XS,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3195pF @ 50V
功率 - 最大值:48.4W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别