收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PSMN012-80PS,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PSMN012-80PS,127

NXP Semiconductors TO-220-3 544
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与PSMN012-80PS,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PSMN013-100BS,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 300 MOSFET N CH 100V 68A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-100ES,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 5000 MOSFET N-CH 100V I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN013-100PS,127 NXP Semiconductors TO-220-3 626 MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PSMN012-80BS,118 NXP Semiconductors 4800 MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK ...
PSMN012-60YS,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3290 MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PSMN012-25YLC,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 25V LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PSMN012-80PS,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):74A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2782pF @ 12V
功率 - 最大值:148W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别