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PMV213SN,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 11983
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简述:MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PMV213SN,215参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 20V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装

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