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PMT29EN,135

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA
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简述:MOSFET N-CH 30V SC-73
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMT3(310)15001 Littelfuse Inc 圆柱形,无引线,3端子 GP THREE ELEMENTS S.A. 150V SMD 电压 - DC 击穿(标称值):150V 脉冲放电电流 (8/20us):20k...
PMT3(310)15004 Littelfuse Inc 轴向圆柱形,3引线(径向弯曲) 175 GP THREE ELEMENTS S.A. 150V T/H 电压 - DC 击穿(标称值):150V 脉冲放电电流 (8/20us):20k...
PMT3(310)15004F Littelfuse Inc 轴向圆柱形,3引线(径向弯曲) GP THREE ELEMENTS S.A. 150V T/H 电压 - DC 击穿(标称值):150V 脉冲放电电流 (8/20us):20k...
PMT29EN,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V SC-73 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMT21EN,135 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V SC-73 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMT21EN,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 30V SC-73 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PMT29EN,135参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):492pF @ 15V
功率 - 最大值:820mW
安装类型:表面贴装

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