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PMN55LN,135

NXP Semiconductors SC-74,SOT-457
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简述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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PMN55LN,135参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 20V
功率 - 最大值:1.75W
安装类型:表面贴装

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