| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PMH0603-100-RC |
Bourns Inc. | 0603（1608 公制） | 询价QQ： |
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| 简述：FERRITE CHIP 10OHM 25% 0603 SMT 参考包装数量：4000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PMH0603-300 | Bourns Inc. | 0603（1608 公制） | FERRITE CHIP 30OHM 25% 0603 SMT | 频率对应阻抗：30 欧姆 @ 100MHz 额定电流：2A DC 电阻(DCR)... | |
| PMH0603-600 | Bourns Inc. | 0603（1608 公制） | FERRITE CHIP 60OHM 25% 0603 SMT | 频率对应阻抗：60 欧姆 @ 100MHz 额定电流：500mA DC 电阻(D... | |
| PMH0805-100 | Bourns Inc. | 0805（2012 公制） | FERRITE CHIP 10OHM 25% 0805 SMT | 频率对应阻抗：10 欧姆 @ 100MHz 额定电流：3A DC 电阻(DCR)... | |
| PMH0603-100 | Bourns Inc. | 0603（1608 公制） | FERRITE CHIP 10OHM 25% 0603 SMT | 频率对应阻抗：10 欧姆 @ 100MHz 额定电流：2A DC 电阻(DCR)... | |
| PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 10788 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
