收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PMF780SN,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PMF780SN,115

NXP Semiconductors SC-70,SOT-323
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 570MA SOT-323
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PMF780SN,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMFPB6532UP,115 NXP Semiconductors 6-UDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
PMFPB6545UP,115 NXP Semiconductors 6-UDFN 裸露焊盘 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
PMG370XN,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMF63UN,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT323 ...
PMF400UN,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 15000 MOSFET N-CH 30V 830MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMF3800SN,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PMF780SN,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):570mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):920 毫欧 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.05nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23pF @ 30V
功率 - 最大值:560mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别