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PMBD914,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE SW DBL 70V 215MA SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PMBD914,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 40000 DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):100V 电流 - 平均整流 (I...
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PMBF170,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH TRENCH 60V SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PMBD7100,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA 电流...
PMBD7000,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 220000 DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA 电流...
PMBD7000,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 45000 DIODE SW DBL 100V 215MA HS SOT23 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA 电流...

PMBD914,215参数资料

PDF资料下载:

二极管类型:标准
电压 - (Vr)(最大):100V
电流 - 平均整流 (Io):215mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr):4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 75V
电容@ Vr, F:1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型:表面贴装

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