收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PHU11NQ10T,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHU11NQ10T,127

NXP Semiconductors TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与PHU11NQ10T,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHU-131P.HOLDER CBM America Corporation PAPER HANDLING UNIT W/ONE SENSOR ...
PHU66NQ03LT,127 NXP Semiconductors TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 66A SPT533 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHU77NQ03T,127 NXP Semiconductors TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
PHU108NQ03LT,127 NXP Semiconductors TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 75A SOT533 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHU101NQ03LT,127 NXP Semiconductors TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 75A SOT533 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHT8N06LT,135 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 2489 MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PHU11NQ10T,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V
功率 - 最大值:57.7W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别