| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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PHT2010Y3004BGT200 |
Vishay Sfernice | 2010（5125 公制） | 200 | 询价QQ： |
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| 简述：RES 3.0M OHM 100MW 0.1% 2010 参考包装数量：200 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| PHT2NQ10T,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| PHT4NQ10LT,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| PHT4NQ10T,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| PHT2010Y1003BGT200 | Vishay Sfernice | 2010（5125 公制） | 200 | RES 100K OHM 100MW 0.1% 2010 | 电阻（欧姆）：100k 功率（瓦特）：0.1W，1/10W 复合体：薄膜 特点：... |
| PHT2010Y1002BGT200 | Vishay Sfernice | 2010（5125 公制） | 200 | RES 10K OHM 100MW 0.1% 2010 | 电阻（欧姆）：10k 功率（瓦特）：0.1W，1/10W 复合体：薄膜 特点：-... |
| PHT2010Y1001BGT200 | Vishay Sfernice | 2010（5125 公制） | 200 | RES 1.0K OHM 100MW 0.1% 2010 | 电阻（欧姆）：1k 功率（瓦特）：0.1W，1/10W 复合体：薄膜 特点：- ... |
