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PHT0805E10R0DGT200

Vishay Sfernice 0805(2012 公制)
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简述:RES 10 OHM 20MW 0.5% 0805
参考包装数量:1
参考包装形式:

与PHT0805E10R0DGT200相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHT0805Y1001BGT200 Vishay Sfernice 0805(2012 公制) 200 RES 1.0K OHM 20MW 0.1% 0805 电阻(欧姆):1k 功率(瓦特):0.02W 复合体:薄膜 特点:- 温度系数:...
PHT0805Y1002BGT200 Vishay Sfernice 0805(2012 公制) RES 10K OHM 20MW 0.1% 0805 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):0.02W 复合体:薄膜 特点:- 温度系数...
PHT0805Y1003BGT200 Vishay Sfernice 0805(2012 公制) 200 RES 100K OHM 20MW 0.1% 0805 电阻(欧姆):100k 功率(瓦特):0.02W 复合体:薄膜 特点:- 温度系...
PHT0603Y3003BGT200 Vishay Sfernice 0603(1608 公制) 600 RES 300K OHM 12.5MW 0.1% 0603 电阻(欧姆):300k 功率(瓦特):0.0125W 复合体:薄膜 特点:- 温...
PHT0603Y1003BGT200 Vishay Sfernice 0603(1608 公制) 200 RES 100K OHM 12.5MW 0.1% 0603 电阻(欧姆):100k 功率(瓦特):0.0125W 复合体:薄膜 特点:- 温...
PHT0603Y1002BGT200 Vishay Sfernice 0603(1608 公制) RES 10K OHM 12.5MW 0.1% 0603 电阻(欧姆):10k 功率(瓦特):0.0125W 复合体:薄膜 特点:- 温度...

PHT0805E10R0DGT200参数资料

PDF资料下载:

电阻(欧姆):10
功率(瓦特):0.02W
复合体:薄膜
特点:-
温度系数:±50ppm/°C
容差:±0.5%

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