收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PHK4NQ10T,518
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHK4NQ10T,518

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 4A SOT96-1
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHK4NQ10T,518相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHK4NQ20T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHK5NQ15T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHKD13N03LT,118 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PHK31NQ03LT,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHK3 Hammond Manufacturing 0+3 LATCH HANDLE PADLOCKING 3PT ...
PHK28NQ03LT,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PHK4NQ10T,518参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):880pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别