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PHK18NQ03LT,518

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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PHK18NQ03LT,518参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 12V
功率 - 最大值:6.25W
安装类型:表面贴装

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