收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PHD9NQ20T,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHD9NQ20T,118

NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT428
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHD9NQ20T,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHDR-08VS JST Sales America Inc 3928 CONN HOUSING PHD 8POS 2MM DUAL ...
PHDR-10VS JST Sales America Inc 19998 CONN HOUSING PHD 10POS 2MM DUAL ...
PHDR-12VS(P) JST Sales America Inc 1079 CONN HOUSING PHD 12POS 2MM DUAL ...
PHD98N03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHD97NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH TRENCH 25V SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHD96NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PHD9NQ20T,118参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):959pF @ 25V
功率 - 最大值:88W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别