收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PHD108NQ03LT,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHD108NQ03LT,118

NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHD108NQ03LT,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHD110NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHD13003C,126 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
PHD13003C,412 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
PHD101NQ03LT,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHD.5B.364.CLLD11 LEMO RECPT CDD 64CTS D-COL ...
PHD.2K.310.CYMC70Z LEMO RECPT CDD 10CTS C-COL ...

PHD108NQ03LT,118参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1375pF @ 12V
功率 - 最大值:187W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别