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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > PH1955L,115
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PH1955L,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PH1955L,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PH1-D Panduit Corp CONNECTOR WIRE WING NYLON TAN ...
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PH1955L,115参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1992pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:表面贴装

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