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PESD3V3V4UW,115

NXP Semiconductors SOT-665
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简述:DIODE VLOW ESD PROTECTION SOT665
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PESD3V3V4UW,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):3.3V
电压 - 击穿:5.3V
功率 (W):16W
极化:4 通道阵列 - 单向
安装类型:表面贴装

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