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PESD3V3S2UQ,115

NXP Semiconductors SOT-663 28000
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简述:DIODE DBL ESD PROTECTION SOT663
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PESD3V3S2UQ,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):3.3V
电压 - 击穿:5.2V
功率 (W):150W
极化:2 通道阵列 - 单向
安装类型:表面贴装

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