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PESD12VL2BT,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 9000
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简述:DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PESD12VS1UA,115 NXP Semiconductors SC-76,SOD-323 DIODE ESD UNIDIR 12V SC76 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:13.3V 功率 (W):...
PESD12VS1UB,115 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 3000 DIODE ESD PROTECTION SOD523 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:14.7V 功率 (W):...
PESD12VS1UJ,115 NXP Semiconductors SC-90,SOD-323F 3000 DIODE ESD UNI-DIR 12V SOD-323F 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:13.3V 功率 (W):...
PESD12VL1BA,115 NXP Semiconductors SC-76,SOD-323 18000 DIODE DUAL BI ESD PROT SOD323 电压 - 反向关态(典型值):12V 电压 - 击穿:14.2V 功率 (W):...
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PESD1206Q-140 TE Connectivity 1206(3216 公制) ESD PROTECTOR 1206 14VDC POLYMER 电压 - 反向关态(典型值):14V 电压 - 击穿:- 功率 (W):- 极化...

PESD12VL2BT,215参数资料

PDF资料下载:

电压 - 反向关态(典型值):12V
电压 - 击穿:14.2V
功率 (W):200W
极化:2 通道阵列 - 双向
安装类型:表面贴装

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