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PEMX1,315

NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666
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简述:TRANS NPN DBL 300MW SOT-666
参考包装数量:8000
参考包装形式:带卷 (TR)

与PEMX1,315相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PEMZ1,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 40V 100MA SOT666 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压...
PEMZ7,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 12V 500MA SOT666 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压...
PEMZ7,315 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP 300MW SOT-666 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA 电压...
PEMX1,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS NPN 40V 100MA SOT666 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
PEMT1,315 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP DBL 300MW SOT-666 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
PEMT1,115 NXP Semiconductors SOT-563,SOT-666 TRANS PNP 40V 100MA SOT666 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...

PEMX1,315参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1mA,6V
功率 - 最大:300mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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